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探索长晶科技的成功秘诀,融合Fabless与IDM的双轨战略

科技 半导体 idm
导读:长晶科技通过Fabless与IDM模式并行的创新战略,引领行业变革,影响半导体行业的未来。为了实现半导体关键核心技术的自主可控,长晶科技进行了深度的产业链整合。2024年,长晶科技发布了其最新的FST3.0IGBT产品,这一举动无疑是对其技术创新实力的有力证明。FST3.0IGBT产品的发布,不仅标志着长晶科技在半导体技术领域迈出了坚实的一步,也对国内半导体行业产生了深远的影响。

在全球半导体产业风起云涌的背景下,江苏长晶科技股份有限公司(简称“长晶科技”)以其创新能力和坚定的市场导向,正逐步迈向全球化半导体企业行列。长晶科技通过Fabless与IDM模式并行的创新战略,引领行业变革,影响半导体行业的未来。

长晶科技自2018年成立以来,在半导体技术研发、产品创新以及产业链整合等方面取得了显著成就,为中国乃至全球半导体产业的发展注入了强劲动力。公司初期以Fabless模式为起点,专注于半导体设计领域。通过组建高素质、专业化的研发团队,长晶科技不断攻克技术难关,积累了丰富的分立器件和集成电路产品型号和技术储备。

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为了实现半导体关键核心技术的自主可控,长晶科技进行了深度的产业链整合。2020年,公司投资成立长晶浦联,组建自主封装产线,将公司经营模式从纯半导体设计拓展延伸至半导体封装领域。这一举措不仅增强了公司的生产能力,也为后续产品的快速迭代和市场响应提供了有力保障。2022年,长晶科技再次迈出重要一步,收购了新顺微(系分立器件的晶圆制造企业),整合了5英寸、6英寸晶圆制造平台,从而补齐了公司分立器件晶圆制造环节。至此,长晶科技已发展成为一家Fabless与IDM模式并行的综合型半导体企业,具备了从芯片设计、制造到封装测试的全产业链能力。

2024年,长晶科技发布了其新的FST3.0 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品,这一举动无疑是对其技术创新实力的有力证明。这款产品在技术层面上实现了显著的突破,采用了新的微沟槽栅技术结合场终止技术,这种创新设计极大地提升了器件的性能和可靠性。FST3.0 IGBT产品的发布,不仅标志着长晶科技在半导体技术领域迈出了坚实的一步,也对国内半导体行业产生了深远的影响。它不仅满足了市场对高性能IGBT产品的需求,还推动了国内半导体技术的国产化进程。

可以看到经过多年的努力,长晶科技已凭借其创新能力和坚定的市场导向,正逐步迈进半导体企业的行列。未来,长晶科技还将继续秉承创新驱动发展的理念,加大在半导体技术研发和产业化应用方面的投入,积极拓展国内外市场,增强与产业链上下游企业的合作与交流,共同推动全球半导体产业的持续健康发展。

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